蓝宝石基无掩膜横向外延生长高质量的Ⅲ族氮化物薄膜
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种蓝宝石衬底上无掩膜横向外延生长高质量的III族氮化物薄膜的新技术，该技术采用化学腐蚀的方法腐蚀蓝宝石衬底，以形成一定图案的蓝宝石衬底1，提供横向外延基底，缓冲层2为低温GaN薄膜，3为横向外延生长的高温GaN薄膜。缓冲层2首先在没有腐蚀坑位置的蓝宝石衬底1处外延生长，形成一定的籽晶，在籽晶处外延生长的同时，改变外延生长工艺条件，使其横向外延，以使两翼在腐蚀坑处翼合，形成高质量、低位错密度的GaN薄膜3，这样就可以在GaN薄膜3上沉积高质量的III族氮化物薄膜4。这种横向外延技术不仅可以降低位错密度，而且克服了传统横向外延技术工艺复杂和晶向倾斜高的缺点。
基本信息
专利标题 ：
蓝宝石基无掩膜横向外延生长高质量的Ⅲ族氮化物薄膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1992166A
申请号 ：
CN200510003405.1
公开（公告）日 ：
2007-07-04
申请日 ：
2005-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭冬生冯玉春牛憨笨王文欣
申请人 ：
深圳大学
申请人地址 ：
518060广东省深圳市南山区南海大道2336号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510003405.1
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L33/00 H01L31/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2009-06-17 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-29 ：
实质审查的生效
2007-07-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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