一种高质量外延结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种高质量外延结构，包括衬底，缓冲层、u‑GaN层、N型GaN层、有源层和P型GaN层，所述缓冲层设置在衬底和u‑GaN层之间，以减少衬底和GaN之间的晶格差异，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层由AlN制成，所述第二缓冲层包括若干个周期的GaN层和SiNx层。本实用新型在衬底和GaN之间设置第一缓冲层和第二缓冲层，有效减低外延缺陷，减少晶格失配，提高外延结构的晶体质量。
基本信息
专利标题 ：
一种高质量外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921947896.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-12
授权号 ：
CN210575998U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
仇美懿庄家铭农明涛
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201921947896.9
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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