MOS场效应管及其制作方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明公开了一种MOS场效应管，该MOS管在其宽度方向的两端靠近浅沟道隔离区域和硅区域交界处的硅区域内的某处到浅沟道隔离区域和硅区域交界处的栅氧的厚度大于MOS管中间区域的栅氧厚度。本发明一种制作MOS场效应管的方法，在双栅氧刻蚀步骤中，只刻蚀掉低压MOS管硅区域中间部分的中压厚栅氧，保留MOS管宽度方向的两端靠近浅沟道隔离区域和硅区域交界处的硅区域内的某处到浅沟道隔离区域和硅区域交界处的中压厚栅氧。本发明通过保留了低压MOS管硅区域边缘部分的中压厚栅氧，提高低压MOS场效应管总晶体管的阈值电压，改善MOS场效应管反窄沟道效应引起的阈值电压下降的问题。

基本信息

专利标题：

MOS场效应管及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1983630A

申请号：

CN200510111431.6

公开（公告）日：

2007-06-20

申请日：

2005-12-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

伍宏陈晓波

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200510111431.6

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/40 H01L21/336 H01L21/28 H01L21/316

法律状态

2014-01-08 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101684689219
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005101114316
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20131216

2008-12-24 ：

授权

2007-08-15 ：

实质审查的生效

2007-06-20 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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