一种MOS场效应管及其制作方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种MOS场效应管，该MOS场效应管多晶硅栅的宽度，从靠近硅区域与浅沟道隔离区域交界处的硅区域内的某处到硅区域与浅沟道隔离区域交界处线性地增加。本发明一种制作MOS场效应管的方法，首先，根据反窄沟道效应的严重程度，MOS场效应管的综合特性，定义该多晶硅栅形状改变的几何参数；其次，根据第一步中确定的几何参数改变版图。本发明在通过线性增加场效应管边缘的多晶硅栅的宽度，等效于增加“寄生晶体管”的沟道长度，降低其漏电流并提高“寄生晶体管阈值电压，从而降低总晶体管的漏电流并提高总晶体管的阈值电压。从而改善MOS场效应管反窄沟道效应引起的阈值电压下降的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种MOS场效应管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1983631A
申请号 ：
CN200510111432.0
公开（公告）日 ：
2007-06-20
申请日 ：
2005-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伍宏陈晓波
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111432.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2010-11-03 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101037185373
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2005101114320
公开日 : 20070620
号牌文件序号 : 101037185373
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2005101114320
公开日 : 20070620
2007-08-15 ：
实质审查的生效
2007-06-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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