一种缓解MOS场效应管反窄沟道效应的方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种缓解MOS场效应管反窄沟道效应的方法，首先确定中压MOS晶体管的低压阱和阈值电压调节离子注入区域；确定低压MOS晶体管的中压阱和阈值电压调节离子注入区域；然后，修改相应的中压和低压MOS晶体管的阱离子注入和阈值电压调节离子注入光刻板版图，以在低压MOS晶体管靠近浅沟道隔离区的硅区域边缘部分进行中压MOS晶体管的阱离子注入和阈值电压调节离子注入，并在中压MOS晶体管靠近浅沟道隔离区的硅区域边缘部分进行低压MOS晶体管的阱离子注入和阈值电压调节离子注入；最后，制作光刻板并进行流片。本发明可以同时有效缓解低压和中压MOS晶体管的反窄沟道效应。
基本信息
专利标题 ：
一种缓解MOS场效应管反窄沟道效应的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979784A
申请号 ：
CN200510111300.8
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伍宏陈晓波
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111300.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/266
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-07-01 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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