应变损失缓解方法及其结构

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摘要

一种用于缓解应变损失(如，在FinFET沟道中)的方法和结构，包括提供一种半导体器件，具有：衬底，具有衬底鳍部；有源鳍区域，形成在衬底鳍部的第一部分上方；拾取区域，形成在衬底鳍部的第二部分上方；以及锚接件，形成在衬底鳍部的第三部分上方。在一些实施例中，衬底鳍部包括第一材料，并且有源鳍区域包括与第一材料不同的第二材料。在各种示例中，锚接件设置在有源鳍区域与拾取区域之间并且与其中的每一个都相邻。本发明实施例涉及应变损失缓解方法及其结构。

基本信息

专利标题：

应变损失缓解方法及其结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109427895A

申请号：

CN201711270023.4

公开（公告）日：

2019-03-05

申请日：

2017-12-05

授权号：

CN109427895B

授权日：

2022-04-19

发明人：

王胜雄张永丰谢东衡

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司

代理人：

章社杲

优先权：

CN201711270023.4

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336