在CMOSFET中最优化应变的结构与方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种包括PMOSFET和NMOSFET的应变MOSFET半导体结构，以及用于制造应变MOSFET的方法，该方法最优化MOSFET中的应变，更具体地说，最大化在一类(P或N)MOSFET中的应变并且最小化并驰豫在另一类(N或P)MOSFET中的应变。在所述PMOSFET和所述NMOSFET两者上形成具有初始全厚度的应变引起CA氮化物覆层，其中应变引起覆层在一类半导体器件中产生最优化的全应变并且降低另一类半导体器件的性能。蚀刻应变引起CA氮化物覆层，以减小在另一类半导体器件上的厚度，其中，应变引起覆层的减小厚度在另一MOSFET中驰豫并产生较小的应变。
基本信息
专利标题 ：
在CMOSFET中最优化应变的结构与方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101496176A
申请号 ：
CN200680002466.9
公开（公告）日 ：
2009-07-29
申请日 ：
2006-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈向东杨海宁
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于 静
优先权 ：
CN200680002466.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/8238
法律状态
2012-07-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101412329280
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2006800024669
公开日 : 20090729
号牌文件序号 : 101412329280
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2006800024669
公开日 : 20090729
2009-09-23 ：
实质审查的生效
2009-07-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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