用于受光体的最外层
专利权的终止
摘要
芳族含硅化合物具有下式：Ar－[X－L－SiRn (OR’) 3－n] m其中Ar表示芳族基团，X表示二价或三价基团；L表示二价连接基团；R表示氢原子、烷基或芳基；R’表示烷基；n是0－2的整数；和m是1－5的整数。芳族含硅化合物可用于电子照相受光体，特别地用于这种电子照相受光体的最外保护层。
基本信息
专利标题 ：
用于受光体的最外层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1804728A
申请号 ：
CN200610004914.0
公开（公告）日 ：
2006-07-19
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
Y·齐N·－X·胡J·F·格拉哈姆T·P·本德A·－M·侯Y·加农C·－K·肖
申请人 ：
施乐公司
申请人地址 ：
美国康涅狄格州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
郭广迅
优先权 ：
CN200610004914.0
主分类号 ：
G03G5/06
IPC分类号 ：
G03G5/06 G03G5/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03G
电记录术；电照相；磁记录
G03G5/00
采用辐照用于原稿记录的记录构件；记录构件的制造；所用材料的选择
G03G5/02
电荷接受层
G03G5/04
光导层；电荷发生层或电荷转移层；上述各层的添加剂和黏接剂
G03G5/06
以有机光导材料为特征的
法律状态
2021-12-24 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G03G 5/06
申请日 : 20060112
授权公告日 : 20091209
终止日期 : 20210112
申请日 : 20060112
授权公告日 : 20091209
终止日期 : 20210112
2009-12-09 ：
授权
2008-03-12 ：
实质审查的生效
2006-07-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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