生长应变层的方法

授权

摘要

公开了一种在Si衬底(10)上形成应变Si层(16)的方法，包括在Si衬底(10)上形成第一SiGe缓冲层(12)。然后，使用离子注入将无定形化掺杂剂注入到第一SiGe缓冲层，以使第一SiGe缓冲层成为无定形的。在退火之后，在第一SiGe缓冲层上生长第二SiGe缓冲层(14)。这产生了弛豫的SiGe层(12，14)。然后生长应变Si层(16)。

基本信息

专利标题：

生长应变层的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101053064A

申请号：

CN200580037497.3

公开（公告）日：

2007-10-10

申请日：

2005-10-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

巴特洛米伊·J·帕韦拉克菲利浦·默尼耶－贝拉德

申请人：

皇家飞利浦电子股份有限公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱进桂

优先权：

CN200580037497.3

主分类号：

H01L21/20

IPC分类号：

H01L21/20

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/20

半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长

法律状态

2009-05-27 ：

授权

2008-04-09 ：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080307

2008-01-02 ：

实质审查的生效

2007-10-10 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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