一种MOS场效应管及其制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种MOS场效应管及其制造方法。本发明一种MOS场效应管，其介于源/漏－衬底PN结和栅边缘的某个位置到源漏硅化物边缘的栅氧厚度大于介于源/漏－衬底PN结和栅边缘的位置之间的栅氧厚度。本发明一种制造MOS场效应管的方法，包括以下步骤：第一步，阱离子注入，阱离子注入退火，和牺牲氧化层剥离；第二步，生长或淀积一层厚栅氧化层；第三步，完全刻蚀中间区域的厚栅氧；第四步，生长薄栅氧；第五步，已有工艺方法的正常后续步骤本发明适用于半导体工艺中的MOS场效应管制造工艺。
基本信息
专利标题 ：
一种MOS场效应管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1971944A
申请号 ：
CN200510110711.5
公开（公告）日 ：
2007-05-30
申请日 ：
2005-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伍宏
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号718
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510110711.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336 H01L21/283
法律状态
2009-07-29 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-07-25 ：
实质审查的生效
2007-05-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
