一种MOS场效应管及其制造方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明公开了一种MOS场效应管及其制造方法。本发明一种MOS场效应管，其栅极的侧壁底部向内凹陷。一种制造本发明MOS场效应管的方法，包括以下步骤：第一步，阱离子注入，阱离子注入退火，牺牲氧化层剥离；第二步，生长或淀积一层厚氧化层；第三步，对中间区域的厚氧进行完全刻蚀；第四步，生长栅氧；第五步，淀积多晶硅栅；第六步，对多晶硅栅进行光刻和刻蚀；第七步，对厚氧区域的氧化层进行刻蚀；第八步，常规工艺中的栅刻蚀之后的工艺。本发明适用于MOS场效应管的制作工艺。

基本信息

专利标题：

一种MOS场效应管及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1971941A

申请号：

CN200510110709.8

公开（公告）日：

2007-05-30

申请日：

2005-11-24

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

伍宏

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号718

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200510110709.8

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336

法律状态

2014-01-15 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101685696977
IPC(主分类) : H01L 29/423
专利号 : ZL2005101107098
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号718
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20131219

2010-02-17 ：

授权

2007-07-25 ：

实质审查的生效

2007-05-30 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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