一种减小接触电阻提高碲烯场效应晶体管性能的方法
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摘要
本发明公开了一种减小接触电阻提高碲烯场效应晶体管性能的方法，包括以下步骤：S1：合成二维碲烯，并转移到基底上，清洗得到含有二维碲烯的基底；S2：将所述含有二维碲烯的基底上旋涂光刻胶，旋涂后烘焙光刻胶，待烘焙完冷却后准备图案化电极图形，得到图形化后的二维碲烯基底；S3：配置氯化钯溶液；S4：将所述图形化后的二维碲烯基底浸渍于氯化钯溶液中，然后清洗，吹干，得到碲烯场效应晶体管半成品；S5：用磁控溅射的方法在碲烯场效应晶体管半成品上生长一层高功函的金属材料，最后用丙酮清洗，得到碲烯场效应晶体管。本发明降低电子跨越的势垒，起到减小接触电阻的效果，提高晶体管的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种减小接触电阻提高碲烯场效应晶体管性能的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114121620A
申请号 ：
CN202111445763.3
公开（公告）日 ：
2022-03-01
申请日 ：
2021-12-01
授权号 ：
CN114121620B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
王一休杨青李凌
申请人 ：
之江实验室
申请人地址 ：
浙江省杭州市余杭区文一西路1818号
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
奚丽萍
优先权 ：
CN202111445763.3
主分类号 ：
H01L21/06
IPC分类号 ：
H01L21/06 H01L21/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/06
器件中的半导体所含有的硒或碲以游离态存在，而不是其他材料在半导体中的杂质
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2022-03-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/06
申请日 : 20211201
申请日 : 20211201
2022-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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