一种提高晶体管性能的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明是一种提高晶体管性能的新方法，能广泛应用于晶体管、集成电路的生产。本发明要点是在室温和真空中用Ar+束辐照管芯背面来提高或调节hFE和fT，它既完全克服了现有技术存在的缺点和问题，又能与常规生产工艺兼容，不仅能方便地调节或大幅度提高hFE和fT，又能保持晶体管的纵横结构参数和反向击穿特性不变。同时，易于避免杂质沾污，有利于产品稳定性的提高。
基本信息
专利标题 ：
一种提高晶体管性能的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1053322A
申请号 ：
CN91100365.7
公开（公告）日 ：
1991-07-24
申请日 ：
1991-01-16
授权号 ：
CN1021094C
授权日 ：
1993-06-02
发明人 ：
曾绍鸿李观启黄美浅曾勇彪
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
510641广东省广州市天河区五山
代理机构 ：
华南理工大学专利事务所
代理人 ：
罗观祥
优先权 ：
CN91100365.7
主分类号 ：
H01L21/26
IPC分类号 ：
H01L21/26 H01L21/322 H01L21/70
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
法律状态
1998-03-11 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-06-02 ：
授权
1991-07-24 ：
公开
1991-07-03 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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