一种半导体结构、器件和制造方法
实质审查的生效
摘要
本方案公开了一种半导体结构、器件和制造方法，其中，该半导体结构包括：具有第一导电类型的第一区域；位于第一区域上的具有第一导电类型和/或第二导电类型的第二区域；位于第二区域上的具有与第二区域相反导电类型的第三区域；所述第三区域包括：通道区和漂移区；位于第二区域上与第三区域一侧邻接的源区，位于第二区域上与第三区域另一侧邻接的漏区；所述源区和漏区的导电类型与邻接的第三区域的导电类型相同。本方案通过在FinFFT的鳍片结构中引入漂移区，使高压半导体结构增加了电压消耗，再配合隔离沟槽结构，使高压半导体结构具有更长的电路路径，帮助耗散高电压，从而使高压半导体结构能够在1.8V或3.3V电压下维持高压运行。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体结构、器件和制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284333A
申请号 ：
CN202110615640.3
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-06-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
肖德元
申请人 ：
青岛昇瑞光电科技有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市黄岛区山王河路1088号
代理机构 ：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
高园园
优先权 ：
CN202110615640.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L27/092 H01L27/088 H01L21/8234 H01L21/8238
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20210602
申请日 : 20210602
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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