基于溅射AlON/金刚石基板的HEMT器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于溅射AlON/金刚石基板的HEMT器件及其制备方法，所述制备方法包括：获取金刚石衬底并进行预处理；在所述金刚石衬底表面形成溅射AlON过渡层；在溅射AlON过渡层上依次生长GaN缓冲层、AlGaN势垒层以及GaN帽层；在GaN帽层上制作金属电极以完成器件的制备。本发明通过在金刚石衬底与GaN缓冲层之间引入溅射AlON过渡层，可以实现在金刚石衬底上直接生长GaN及其异质结构，避免了传统方法中的衬底剥离和键合技术对器件造成的影响，提高了器件性能，且工艺简单。
基本信息
专利标题 ：
基于溅射AlON/金刚石基板的HEMT器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530374A
申请号 ：
CN202011322843.5
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2020-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许晟瑞杜金娟苏华科张金风彭若诗周弘张春福张进成郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学芜湖研究院
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园4号楼1205室
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘长春
优先权 ：
CN202011322843.5
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L29/778 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/335
申请日 : 20201123
申请日 : 20201123
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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