TFT器件及其制备方法、阵列基板
公开
摘要
本发明提供一种TFT器件及其制备方法、阵列基板，该TFT器件中的有源层包括：源极掺杂区、漏极掺杂区、位于源极掺杂区和漏极掺杂区之间的沟道区；源极掺杂区与源极之间设置有第一金属氧化物层，漏极掺杂区与漏极之间设置有第二金属氧化物层，源极通过第一金属氧化物层与源极掺杂区电性连接，漏极通过第二金属氧化物层与漏极掺杂区电性连接；由于第一金属氧化物层和第二金属氧化物层与有源层中的金属氧化物层接触较好，第一金属氧化物层和第二金属氧化物层可以作为源极、漏极与有源层之间的过渡层，可以有效改善二者欧姆接触问题，从而提高TFT器件的充电率，进而满足大尺寸显示面板的显示分辨率和刷新率。
基本信息
专利标题 ：
TFT器件及其制备方法、阵列基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582980A
申请号 ：
CN202210178801.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
弓程
申请人 ：
广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区（中新广州知识城）亿创街1号406房之417
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
官建红
优先权 ：
CN202210178801.1
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/45 H01L21/34 H01L27/12
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
