一种垂直结构氮化镓HEMT器件的制备方法
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摘要
本发明公开了一种垂直结构氮化镓HEMT器件的制备方法，属于微电子技术领域，从下至上依次层叠设置的衬底、石墨烯层、N型氮化镓层、本征氮化镓层、P型氮化镓层、本征氮化镓沟道层、AlN层、AlGaN势垒层以及P帽层，本发明采用石墨烯作为过渡载体上外延氮化镓可以解决氮化镓自支撑衬底昂贵的问题，还可以解决氮化镓自身诸多方面不足的问题，例如散热性能差等问题。传统垂直型GaN基HEMT器件的承受高压主要部分是P型电流阻挡层(CBL)和N型缓冲层组成的PN结，采用PIN结构替代传统的PN结可以有效的提高击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直结构氮化镓HEMT器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112713190A
申请号 ：
CN202011603997.1
公开（公告）日 ：
2021-04-27
申请日 ：
2020-12-29
授权号 ：
CN112713190B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
汪琼穆潘潘吴勇王东陈兴陆俊黄永季亚军孙凯操焰崔傲袁珂陈军飞张进成
申请人 ：
西安电子科技大学芜湖研究院
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区文津西路8号
代理机构 ：
芜湖思诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
房文亮
优先权 ：
CN202011603997.1
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-05-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20201229
申请日 : 20201229
2021-04-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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