一种用于制作GaN HEMT的横向金刚石/GaN/金刚石...
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种用于制作GaN HEMT的横向金刚石/GaN/金刚石衬底及制备方法，方法包括：获取两片多晶金刚石，通过抛光将多晶金刚石的其中一面抛光成光滑面；获取GaN单晶晶片，通过抛光将GaN单晶晶片的两面均抛光成光滑面，其中，GaN单晶晶片的光滑面为非极性面；利用低温键合工艺将两片多晶金刚石的光滑面分别与GaN单晶晶片的两个光滑面进行键合，以得到横向多晶金刚石/GaN/多晶金刚石衬底。本发明改善了传统GaN外延衬底的散热能力，并能提高外延GaN的质量，并进一步提高了器件的工作寿命和稳定性，从而为器件在大功率下的工作奠定了基础，可用于制作高频、大功率GaN基HEMT器件。
基本信息
专利标题 ：
一种用于制作GaN HEMT的横向金刚石/GaN/金刚石衬底及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361013A
申请号 ：
CN202111387283.6
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许晟瑞王心颢贠博祥卢灏刘旭徐爽张进成张金风郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202111387283.6
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18 H01L29/267 H01L29/778
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/18
申请日 : 20211122
申请日 : 20211122
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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