一种高导热金刚石增强碳化硅衬底的制备方法

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摘要

一种高导热金刚石增强碳化硅(SiC)衬底的制备方法，属于半导体材料制备领域。本发明在SiC的碳极性面通过涂胶、光刻、显影实现图形化。随后采用电子束蒸发或磁控溅射金属掩膜。去除光刻胶后，将具有周期排列金属掩膜的SiC通过反应离子刻蚀、掩膜去除、二次离子刻蚀得到微柱阵列。接着通过微波等离子体化学气相沉积技术生长金刚石层。待金刚石层完全覆盖微柱并具有一定厚度后采用激光扫描平整化及后续精密抛光，得到高导热金刚石增强的SiC衬底。通过增加金刚石与SiC有效接触界面面积而提高导热效率的同时有效避免单一平面界面结合力不足和局部缺陷扩展。为未来SiC硅极性面减薄及其表面高温沉积GaN而获得高功率、高频率用SiC/Diamond及GaN/SiC/Diamond晶圆奠定基础。

基本信息

专利标题：

一种高导热金刚石增强碳化硅衬底的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113571409A

申请号：

CN202110753116.2

公开（公告）日：

2021-10-29

申请日：

2021-07-02

授权号：

CN113571409B

授权日：

2022-04-15

发明人：

郑宇亭李成明张钦睿刘思彤魏俊俊郝志恒刘金龙陈良贤安康张建军

申请人：

北京科技大学;北京科技大学顺德研究生院

申请人地址：

北京市海淀区学院路30号

代理机构：

北京市广友专利事务所有限责任公司

代理人：

张仲波

优先权：

CN202110753116.2

主分类号：

H01L21/04

IPC分类号：

H01L21/04 H01L21/3065 H01L21/308

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

法律状态

2022-04-15 ：

授权

2021-11-16 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/04
申请日 : 20210702

2021-10-29 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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