一种碳化硅衬底加工装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种碳化硅衬底加工装置，涉及半导体材料加工技术领域，包括：加热腔；过渡腔，过渡腔与加热腔相连通，过渡腔内设有载样架和升降机构；载样架具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁与所述第二侧壁之间设有夹持组件，夹持组件包括可同步伸缩的第一夹持件和第二夹持件，第一夹持件和第二夹持件配合实现碳化硅样品的夹持与释放；冷却腔，冷却腔与过渡腔相连通。本申请的碳化硅衬底加工装置，可以实现短时间内将碳化硅样品从高温的退火环境中直接快速的放置于低温环境中进行冷却降温，冷却速率大幅提高，有效避免了缓慢降温过程中空穴与电子的重新复合，有效改善了碳化硅衬底的电阻率，提高了碳化硅衬底的质量。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅衬底加工装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220097756.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
CN216663300U
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
王蓉王芸霞皮孝东沈典宇杨德仁
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设三路733号
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
盛影影
优先权 ：
CN202220097756.2
主分类号 ：
C30B33/02
IPC分类号 ：
C30B33/02 C30B29/36 C30B33/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/02
热处理
法律状态
2022-06-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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