利用气体检测半导体碳化硅衬底大尺寸微管的装置

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本申请公开了一种利用气体检测半导体碳化硅衬底大尺寸微管的装置。所述装置包括样品吸附单元、抽真空装置、和连通所述样品吸附单元与所述抽真空装置的真空管道，在所述真空管道上连通特定气体检漏仪；所述样品吸附单元包括真空吸盘，所述真空吸盘的吸附区域设与所述半导体碳化硅衬底边缘匹配的密封圈。本申请能准确检测出衬底中大尺寸微管缺陷情况，检测效率高，适用于大规模产业化缺陷检测。

基本信息

专利标题：

利用气体检测半导体碳化硅衬底大尺寸微管的装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920988851.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-06-27

授权号：

CN210953274U

授权日：

2020-07-07

发明人：

张红岩张维刚姜岩鹏王雅儒刘圆圆

申请人：

山东天岳先进材料科技有限公司

申请人地址：

山东省济南市高新区新宇路西侧世纪财富中心AB座1106-6-01

代理机构：

济南千慧专利事务所(普通合伙企业)

代理人：

韩玉昆

优先权：

CN201920988851.X

主分类号：

G01M3/20

IPC分类号：

G01M3/20 H01L21/67 H01L21/66