用于制造基于氮化镓的单晶衬底的方法和装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种用于制造基于氮化物的单晶衬底的方法和装置。该方法包括：将预备衬底放置在反应室中所安装的基座上；在预备衬底上生长氮化物单晶层；以及进行激光束照射，以在将预备衬底放入反应室的条件下，将氮化物单晶层与预备衬底分离。
基本信息
专利标题 ：
用于制造基于氮化镓的单晶衬底的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1801459A
申请号 ：
CN200510105377.4
公开（公告）日 ：
2006-07-12
申请日 ：
2005-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李秀敏小池正好金澈圭张成焕金敏浩
申请人 ：
三星电机株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李伟
优先权 ：
CN200510105377.4
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2008-08-20 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-09-06 ：
实质审查的生效
2006-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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