碳化硅(SiC)单晶的制造方法以及通过该方法得到的碳化硅...
专利权的终止
摘要
提供一种可以以低成本制造大型的碳化硅(SiC)单晶的制造方法。通过将硅(Si)和碳(C)溶解在碱金属助熔剂中并使它们反应，使碳化硅单晶生成或生长。作为上述碱金属，优选为锂(Li)。根据该方法，即使是在例如1500℃以下的低温条件下，也可以制造碳化硅单晶。将通过本发明的方法得到的碳化硅单晶的一个例子显示在图3(B)的照片上。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅(SiC)单晶的制造方法以及通过该方法得到的碳化硅(SiC)单晶
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1922346A
申请号 ：
CN200580005839.3
公开（公告）日 ：
2007-02-28
申请日 ：
2005-12-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
北冈康夫佐佐木孝友森勇介川村史朗川原实
申请人 ：
松下电器产业株式会社;国立大学法人大阪大学
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
陈建全
优先权 ：
CN200580005839.3
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C01B31/36 C30B9/10
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2014-02-19 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101572122318
IPC(主分类) : C30B 29/36
专利号 : ZL2005800058393
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20091209
终止日期 : 20121226
号牌文件序号 : 101572122318
IPC(主分类) : C30B 29/36
专利号 : ZL2005800058393
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20091209
终止日期 : 20121226
2009-12-09 ：
授权
2007-04-25 ：
实质审查的生效
2007-02-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1922346A.PDF
PDF下载
2、
CN100567596C.PDF
PDF下载
