半绝缘性化合物半导体基板和半绝缘性化合物半导体单晶
授权
摘要
一种半绝缘性化合物半导体基板,其包含半绝缘性化合物半导体,所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为:在具有(100)的面取向的主面上,沿从所述主面的中心起的<110>方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述主面的中心起的<100>方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.1以下。
基本信息
专利标题 :
半绝缘性化合物半导体基板和半绝缘性化合物半导体单晶
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110621813A
申请号 :
CN201780090780.5
公开(公告)日 :
2019-12-27
申请日 :
2017-09-21
授权号 :
CN110621813B
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
桥尾克司鸿池一晓柳泽拓弥
申请人 :
住友电气工业株式会社
申请人地址 :
日本大阪府大阪市
代理机构 :
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 :
王海川
优先权 :
CN201780090780.5
主分类号 :
C30B29/40
IPC分类号 :
C30B29/40 C30B29/42
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2022-04-08 :
授权
2020-01-21 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/40
申请日 : 20170921
申请日 : 20170921
2019-12-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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