多元化合物半导体单晶的生长装置
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
摘要
一种多元化合物半导体单晶的生长装置，包括炉体、各自独立加热控温的上炉加热器、辅助加热器和下炉加热器；上炉加热器和辅助加热器的发热体沿炉体的轴向自上而下依次安装在炉体上，下炉加热器的发热组装体安装在下部升降机构上，其主体伸入炉体并位于辅助加热器的发热体之下；在辅助加热器的发热体分布区l2，自下而上重叠安装了由下层导热环、中层导热环和上层保温隔热环组成的复合保温隔热层；辅助加热器的控温热偶安装在上层保温隔热环与中层导热环之间，上炉加热器的控温热偶安装在上炉加热器发热体的下端，下炉加热器的控温热偶安装在下炉加热器发热体的上端，上炉温度监测热偶安装在上炉加热器发热体分布区l1的中部。
基本信息
专利标题 ：
多元化合物半导体单晶的生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720079478.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-05-09
授权号 ：
CN201031264Y
授权日 ：
2008-03-05
发明人 ：
赵北君朱世富何知宇陈观雄
申请人 ：
四川大学
申请人地址 ：
610065四川省成都市一环路南一段24号
代理机构 ：
成都科海专利事务有限责任公司
代理人 ：
黄幼陵
优先权 ：
CN200720079478.3
主分类号 ：
C30B28/08
IPC分类号 ：
C30B28/08 C30B29/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/04
由液态制备
C30B28/08
区熔法
法律状态
2009-12-16 ：
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
放弃生效日 : 20070509
2008-03-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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