一种生长有机半导体单晶的方法及装置
授权
摘要
本发明公开了一种生长有机半导体单晶的方法及装置，属于有机电子学技术领域。所述方法包括：将装有有机半导体薄膜的有机半导体薄膜空间限域装置加压后固定，然后进行加热，冷却后得到大尺寸有机半导体单晶；所述有机半导体薄膜空间限域装置用于限制有机半导体单晶的生长方向。本发明同时提供了该方法所用的装置。本发明通过一种可以施加不同大小的压力且能够被加热的装置，再通过温度与空间限制的作用控制有机半导体薄膜的二次再结晶，进而获得生长条件可控、生长时间快速以及尺寸较大的有机半导体单晶材料。
基本信息
专利标题 ：
一种生长有机半导体单晶的方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113981541A
申请号 ：
CN202111607419.X
公开（公告）日 ：
2022-01-28
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
CN113981541B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
陈小松付瑶孙首港王颜鹏李立强胡文平
申请人 ：
天津大学
申请人地址 ：
天津市南开区卫津路92号天津大学第十一教学楼
代理机构 ：
北京盛询知识产权代理有限公司
代理人 ：
李艳芬
优先权 ：
CN202111607419.X
主分类号 ：
C30B29/54
IPC分类号 ：
C30B29/54 C30B23/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/54
有机化合物
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2022-02-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/54
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-01-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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