一种超大尺寸自支撑氮化镓单晶及其制备方法
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摘要
本发明提供一种超大尺寸自支撑氮化镓单晶的制备方法，包括如下步骤：(1)提供衬底；(2)于所述衬底上表面形成AlN薄层；(3)于所述AlN薄层上形成AlN纳米柱层，所述纳米柱层均匀排列，方向与厚度一致；(4)于所述AlN纳米柱层顶端生长二维具有高侧向延展性的GaN层；(5)在所述GaN层上持续生长GaN单晶厚膜；(6)降温，将GaN单晶厚膜自所述衬底上剥离，形成自支撑晶体。本发明具有成本低、良率高、应力吸收明显的特点，同时，适用于制备的自支撑氮化镓单晶尺寸更大，解决了超大尺寸氮化镓单晶不易制备的难题。
基本信息
专利标题 ：
一种超大尺寸自支撑氮化镓单晶及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111593408A
申请号 ：
CN202010487572.2
公开（公告）日 ：
2020-08-28
申请日 ：
2020-06-02
授权号 ：
CN111593408B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
刘良宏张海涛肖文庞博
申请人 ：
无锡吴越半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区漓江路11号
代理机构 ：
六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱小杰
优先权 ：
CN202010487572.2
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B23/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2020-10-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/40
申请日 : 20200602
申请日 : 20200602
2020-08-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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