半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
公开
摘要
本申请涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，包括提供衬底，于衬底的表面形成图形化掩膜层；将形成有图形化掩膜层的衬底置于衬底区；经由第一供气管路向镓舟区提供包括氯化氢的第一反应气体，经由第二供气管路向衬底区提供包括氨气的第二反应气体，以形成氮化镓晶种层；停止提供第一反应气体及第二反应气体，经由第三供气管路向衬底区提供包括氯化氢的第三反应气体，将位于第一区域的所述氮化镓晶种层完全去除，或使得氮化镓晶种层位于第一区域的厚度小于氮化镓晶种层位于所述第二区域的厚度；形成掺杂厚膜氮化镓层。本申请能够提高掺杂厚膜氮化镓层的质量，有助于后续掺杂厚膜氮化镓层的自动剥离，降低器件串联电阻，增大隧穿电流。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628237A
申请号 ：
CN202210240295.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗晓菊王颖慧胡作诗
申请人 ：
镓特半导体科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区新城路2号23幢N1128室
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
杜娟娟
优先权 ：
CN202210240295.4
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/683 C23C16/01 C23C16/04 C23C16/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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