半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
公开
摘要
本发明涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的表面形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个开口；于开口内及图形化掩膜层表面形成氮化镓晶种层，氮化镓晶种层包括晶粒区域及过生长区域，晶粒区域内的位错密度大于过生长区域内的位错密度；刻蚀氮化镓晶种层，以将位于晶粒区域的氮化镓晶种层去除；形成厚膜氮化镓层，厚膜氮化镓层填满开口并覆盖保留的氮化镓晶种层。本发明提供的半导体结构的制备方法，在去除部分或全部晶粒区域的氮化镓晶种层之后，再进行横向外延生长以形成厚膜氮化镓层，这样能够提高厚膜氮化镓层的晶体质量，同时，还有助于厚膜氮化镓层剥离。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628238A
申请号 ：
CN202210240323.2
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王颖慧罗晓菊赖云
申请人 ：
镓特半导体科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区新城路2号23幢N1128室
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
杜娟娟
优先权 ：
CN202210240323.2
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/683 C23C16/01 C23C16/04 C23C16/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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