一种氮化硅单晶及其制备方法与应用

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摘要

本发明公开了一种氮化硅单晶及其制备方法与应用。所述制备方法包括：采用外延生长的方法在SiC衬底上直接外延生长作为插入层的多层石墨烯，制得石墨烯/SiC衬底；以及，将所述石墨烯/SiC衬底置于外延生长设备的反应腔室中，向所述反应腔室内通入气相氮源并进行外延生长，从而制得氮化硅单晶。本发明制备氮化硅单晶的方法无需额外加入硅源，步骤简单，操作安全，可与石墨烯一起进行剥离和转移；同时本发明制备的氮化硅单晶颗粒均一性高，质量良好，残余应力小。

基本信息

专利标题：

一种氮化硅单晶及其制备方法与应用

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113122925A

申请号：

CN202110428782.9

公开（公告）日：

2021-07-16

申请日：

2021-04-21

授权号：

CN113122925B

授权日：

2022-04-08

发明人：

王钰宁徐俞王建峰徐科

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

王锋

优先权：

CN202110428782.9

主分类号：

C30B29/38

IPC分类号：

C30B29/38 C30B25/18