氮化镓晶体管
授权
摘要
本申请公开了一种氮化镓晶体管，该氮化镓晶体管包括：衬底；氮化镓沟道层，位于所述衬底上；势垒层，位于所述氮化镓沟道层上；第一掺杂区与第二掺杂区，位于所述势垒层中；反射层，位于所述势垒层上方，具有暴露所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的开口；源电极与漏电极，位于所述势垒层上，分别与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区接触；栅介质层，至少部分位于所述势垒层表面和所述反射层表面，并与所述势垒层和所述反射层接触；以及栅电极，位于所述栅介质层上并与所述栅介质层接触，其中，所述栅介质层与所述栅电极位于所述源电极与所述漏电极之间。该氮化镓晶体管通过反射层达到了在激光退火时保护部分势垒层的目的，减小了器件的导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020536095.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-13
授权号 ：
CN212434632U
授权日 ：
2021-01-29
发明人 ：
逯永建吴贵阳肖金平贾利芳闻永祥李东昇
申请人 ：
杭州士兰明芯科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道10号大街300号1幢1层
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202020536095.X
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/335 H01L29/06 H01L21/324
法律状态
2021-01-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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