一种具有高导通能力的氮化镓晶体管
授权
摘要
本实用新型涉及一种具有高导通能力的氮化镓晶体管。由下至上依次包括衬底，应力缓冲层，GaN沟道外延层，AlGaN势垒层，在栅区刻蚀下方AlGaN势垒层形成栅区凹槽、在源区和漏区刻蚀下方AlGaN势垒层形成阵列孔，在凹槽和阵列孔中选区生长AlGaN二次外延层，二次外延形成的栅区凹槽上生长栅介质层，源区和漏区的阵列孔上形成源极和漏极，凹槽沟道处的栅介质层上覆盖栅极。本实用新型器件和制备工艺简单可靠，通过在源/漏区和栅区进行干法刻蚀和选区二次外延生长技术，有效减小了器件在源/漏区的欧姆接触电阻和栅区导通电阻，实现栅区的高迁移率和高导通能力，优化了源漏区的无金工艺欧姆接触，显著改善了GaN常关型MISFET器件开态下的导通性能。
基本信息
专利标题 ：
一种具有高导通能力的氮化镓晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202120720550.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-04-08
授权号 ：
CN216250739U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
刘扬冯辰亮
申请人 ：
中山大学
申请人地址 ：
广东省广州市海珠区新港西路135号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
王晓玲
优先权 ：
CN202120720550.6
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/45 H01L21/335
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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