一种氮化镓晶体管结构
授权
摘要
本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种降低欧姆接触电阻的氮化镓晶体管结构，包括：衬底；氮化镓沟道层，设置于衬底上；势垒层，设置于氮化镓沟道层上；两个沟槽，分别设置于势垒层的两侧，每个沟槽包括一第一刻蚀区和一第二刻蚀区，第一刻蚀区的底部位于势垒层内，第二刻蚀区的底部延伸至氮化镓沟道层内。本实用新型的有益效果：提供一种新型的氮化镓晶体管结构，该结构用于设置源极和漏极的沟槽底部部分延伸到氮化镓沟道层内，在源漏端既保证了二维电子气层的存在，同时也增加了欧姆金属与势垒层、氮化镓沟道层的接触面积，从而降低了欧姆接触电阻。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓晶体管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022157595.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-27
授权号 ：
CN213519980U
授权日 ：
2021-06-22
发明人 ：
陈敏戴维孙春明郑超欧新华袁琼
申请人 ：
上海芯导电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
党蕾
优先权 ：
CN202022157595.5
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/06 H01L29/417 H01L29/45
法律状态
2021-06-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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