氮化镓MISHEMT结构
授权
摘要
本实用新型提供一种氮化镓MISHEMT结构，包括晶圆，晶圆形成有源极金属、漏极金属以及栅门金属，在源极金属、漏极金属以及栅门金属上方覆盖有第一绝缘介质层，第一绝缘介质层于源极金属以及漏极金属相应位置处分别具有开口并在开口内形成有第一链接金属，第一链接金属上方覆盖有第一源极金属场板以及第一漏极金属场板，第二绝缘介质层覆盖第一源极金属场板、第一漏极金属场板以及露出的第一绝缘介质层，第二绝缘介质层于源极金属以及漏极金属相应位置处分别具有开口并在开口内形成有第二链接金属，第二链接金属表面覆盖有第二源极金属场板以及第二漏极金属场板，在第二源极金属场板和第二漏极金属场板表面覆盖有钝化层，能够有效提高器件抗压性能。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓MISHEMT结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020496854.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-07
授权号 ：
CN211455647U
授权日 ：
2020-09-08
发明人 ：
刘春利
申请人 ：
深圳镓华微电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区丽山路10号桑泰大厦903室
代理机构 ：
深圳市鼎智专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
唐玲玲
优先权 ：
CN202020496854.4
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L29/778 H01L29/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2020-09-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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