氮化镓HEMT的封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种氮化镓HEMT的封装结构，待封装氮化镓HEMT芯片的栅极位于源极和漏极之间，设置第二导电焊盘、第三导电焊盘以及基盘引脚区位于芯片靠近源极的一侧，第一导电焊盘位于芯片靠近漏极的另一侧，通过第一电连接部件电连接漏极和第一导电焊盘，通过第二电连接部件电连接源极和基盘引脚区，通过第四电连接部件电连接源极和第二导电焊盘，通过第三电连接部件电连接栅极与第三导电焊盘，可以使得芯片各电极之间满足耐压距离；通过第四电连接部件电连接源极和第二导电焊盘，形成开尔文源极，以减小驱动回路的寄生电感；待封装氮化镓HEMT芯片固定且电连接在散热区，提高了封装结构的散热性能。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓HEMT的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921898945.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-05
授权号 ：
CN210837732U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
莫锦添邹艳波盛健健姚卫刚
申请人 ：
英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市高新区金园二路39号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
张静
优先权 ：
CN201921898945.4
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L23/31 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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