氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构

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摘要

氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构。涉及功率半导体器件技术领域，尤其涉及氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构。提供了一种方便加工，提高检测可靠性的氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构。包括芯片、引线框架以及覆盖在芯片、引线框架上的封装层，所述芯片包括衬底、制作在衬底上的氮化镓MOSFET结构层、制作在衬底底部的压阻、覆盖在衬底底面上的绝缘层以及制作在绝缘层上的电极层，所述衬底的材料为单晶硅。所述电极层的材料为金，所述引线框架的材料为铜或者铜合金。本实用新型的氮化镓MOSFET封装应力应变感测结构的制备工艺与常规氮化镓MOSFET芯片的制备工艺和封装工艺兼容，制备过程简单易行。

基本信息

专利标题：

氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922112540.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-01

授权号：

CN210689878U

授权日：

2020-06-05

发明人：

赵成王毅

申请人：

扬州扬杰电子科技股份有限公司

申请人地址：

江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期

代理机构：

扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

葛军

优先权：

CN201922112540.X

主分类号：

G01L1/18

IPC分类号：

G01L1/18 G01B7/16 H01L23/31 H01L23/495