共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构
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摘要
一种共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构，包括有一导线架，此导线架上直接设置有一氮化镓场效电晶体及一金属氧化物半导体。氮化镓场效电晶体包括有一直接设置于导线架上的第一基体，此第一基体的表侧具有一第一漏极、一第一栅极及一第一源极，其中第一漏极及第一栅极分别电性连接至导线架。金属氧化物半导体包括有一直接设于导线架上的第二基体，此第二基体的表侧具有一第二漏极、一第二栅极及一第二源极，其中第二漏极与第一源极直接电性连接，且第二栅极及第二源极分别电性连接至导线架。本实用新型使用水平式半导体，使半导体的漏极与氮化镓电晶体的源极直接电性连接，具有简化结构的功效。
基本信息
专利标题 ：
共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021334329.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-09
授权号 ：
CN212542436U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
颜宗贤王兴烨沈峰睿
申请人 ：
鸿镓科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台中市
代理机构 ：
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱丽华
优先权 ：
CN202021334329.9
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L23/50
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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