一种氮化镓器件的封装结构
授权
摘要
本实用新型属于半导体功率器件的封装技术领域，尤其涉及一种氮化镓器件的封装结构，包括一基板、一氮化镓芯片以及一硅芯片；还包括；背板，设置于基板上，背板背向基板的一面设有两个沟槽，分别用于放置氮化镓芯片和硅芯片，两个沟槽部分交叉，以使硅芯片与氮化镓芯片部分接触。本实用新型的技术方案具有如下优点或有益效果：提供一种氮化镓器件的封装结构，通过在一块背板上设置两个沟槽即可实现对氮化镓器件的封装，降低封装成本及风险；同时，沟槽结构使得背板与芯片的背部结合更紧密，增强了对芯片的散热能力；此外，本实用新型的氮化镓芯片和硅芯片之间无需通过打线连接，避免了打线引入的电阻。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓器件的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022128780.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
CN213519942U
授权日 ：
2021-06-22
发明人 ：
陈敏戴维孙春明郑超欧新华袁琼
申请人 ：
上海芯导电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
党蕾
优先权 ：
CN202022128780.1
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L29/778 H01L29/78 H01L23/488 H01L23/13 H01L23/14 H01L23/367 H01L23/373
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2021-06-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
