一种氮化镓芯片在TO-220中的封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种氮化镓芯片在TO‑220中的封装结构，包括一TO‑220框架，所述TO‑220框架的上端为散热片，下端为第一引脚、第二引脚和第三引脚，其还包括一氮化镓芯片、一D‑MOSFET芯片和一氧化铝绝缘基板，所述氧化铝绝缘基板安装在所述散热片上；所述氮化镓芯片安装在所述氧化铝绝缘基板的右边，所述D‑MOSFET芯片安装在所述氧化铝绝缘基板的左边；本实用新型的结构通过高温焊料一次性烧结完成，使所有的焊盘电极完整结合，具有较好的散热和绝缘效果。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓芯片在TO-220中的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020511635.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-09
授权号 ：
CN211605144U
授权日 ：
2020-09-29
发明人 ：
梅宇峰
申请人 ：
品捷电子（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区金沙江路91号
代理机构 ：
苏州通途佳捷专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
闵东
优先权 ：
CN202020511635.9
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L23/367 H01L23/31 H01L25/07
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2020-09-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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