氮化镓半导体装置的封装
专利权的终止
摘要

一种封装的半导体装置,特别是氮化镓半导体结构,包括:下半导体层和位于所述下半导体层的一部分之上的上半导体层。该半导体结构包括从下层向上凸起的多个台,每个台包括上层的一部分并限定上触点平面,该上触点表面与所述多个台被所述下触点表面的一部分分开。该装置还包括模安装支撑物,其中,模的底部表面被附着于模安装支撑物的顶部表面;从支撑物伸出的多个隔开的外部导体,至少一个所述隔开的外部导体在其一端具有接合线柱;具有接合线,其在接合线柱和多个台的顶部表面的触点区域之间延伸。

基本信息
专利标题 :
氮化镓半导体装置的封装
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1819259A
申请号 :
CN200510134125.4
公开(公告)日 :
2006-08-16
申请日 :
2005-12-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
布赖恩·S.·谢尔顿马莱克·K.·帕比兹马克·戈特弗里格刘琳蔺朱廷刚伯里斯·佩雷斯艾里克斯·D.·塞卢兹
申请人 :
威力士半导体公司
申请人地址 :
美国新泽西
代理机构 :
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 :
马浩
优先权 :
CN200510134125.4
主分类号 :
H01L29/06
IPC分类号 :
H01L29/06  H01L29/872  H01L29/20  H01L23/48  
法律状态
2020-12-04 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20101222
终止日期 : 20191226
2011-08-17 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101176972753
IPC(主分类) : H01L 29/06
专利号 : ZL2005101341254
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 威力士半导体公司
变更后权利人 : 电力集成公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国新泽西
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20110708
2010-12-22 :
授权
2008-02-13 :
实质审查的生效
2006-08-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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