一种氮化镓晶体管结构及氮化镓基外延结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种氮化镓晶体管结构及氮化镓基外延结构，所述氮化镓晶体管结构包含由下从上依次叠层的衬底、缓冲层、沟道层、极化掺杂p型AlGaN层、AlGaN势垒层；设于AlGaN势垒层上的源极和漏极；在所述AlGaN势垒层开设有凹槽或在极化掺杂p型AlGaN层上部及所述AlGaN势垒层开设有凹槽，所述凹槽内设有p型GaN层，所述凹槽的位置介于源极和漏极之间；设于p型GaN层的栅极；采用本实用新型的氮化镓基外延结构的晶体管是一种具有高阈值、高功率的氮化镓基HEMT器件。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓晶体管结构及氮化镓基外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021359640.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-13
授权号 ：
CN212542443U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
房育涛林科闯张恺玄刘波亭
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021359640.9
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/06 H01L29/205
法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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