一种氮化镓晶体管结构及氮化镓基外延结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种氮化镓晶体管结构及氮化镓基外延结构,所述氮化镓晶体管结构包含由下从上依次叠层的衬底、缓冲层、沟道层、极化掺杂p型AlGaN层、AlGaN势垒层;设于AlGaN势垒层上的源极和漏极;在所述AlGaN势垒层开设有凹槽或在极化掺杂p型AlGaN层上部及所述AlGaN势垒层开设有凹槽,所述凹槽内设有p型GaN层,所述凹槽的位置介于源极和漏极之间;设于p型GaN层的栅极;采用本实用新型的氮化镓基外延结构的晶体管是一种具有高阈值、高功率的氮化镓基HEMT器件。
基本信息
专利标题 :
一种氮化镓晶体管结构及氮化镓基外延结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021359640.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-13
授权号 :
CN212542443U
授权日 :
2021-02-12
发明人 :
房育涛林科闯张恺玄刘波亭
申请人 :
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 :
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202021359640.9
主分类号 :
H01L29/778
IPC分类号 :
H01L29/778 H01L29/06 H01L29/205
法律状态
2021-02-12 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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