一种硅基氮化镓外延结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅基氮化镓外延结构，包括硅衬底，依次设于硅衬底上的Al层、含氮缓冲层、剥离层、N‑GaN层、有源层和P‑GaN层；所述含氮缓冲层包括AlN层、AlGaN层和GaN层，所述AlN层设置在Al层和AlGaN层之间，所述GaN层设置在AlGaN层和剥离层之间；所述剥离层由SiO2、SiNx、Al2O3、AlN中的一种或几种制成。本实用新型的剥离层不仅可以减少后续形成GaN的缺陷，也可以采用简单的湿法腐蚀工艺来腐蚀剥离层，从而去除硅衬底。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基氮化镓外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922056218.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-25
授权号 ：
CN210805810U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
仇美懿庄家铭
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201922056218.X
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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