一种GaN基外延结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种GaN基外延结构，由下至上包括衬底、成核层、晶格匹配多量子阱缓冲层和GaN缓冲层；在晶格匹配多量子阱缓冲层中，每个多量子阱周期为InAlGaN势垒层和AlGaN势阱层交错组成，InAlGaN势垒层和AlGaN势阱层的晶格常数相等。本实用新型利用势垒层和势阱层的界面极化电荷形成的势阱，耗尽背景载流子，从而获得高阻值缓冲层。
基本信息
专利标题 ：
一种GaN基外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020890872.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-25
授权号 ：
CN212010976U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
房育涛林志东张恺玄刘波亭
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020890872.0
主分类号 ：
H01L29/15
IPC分类号 ：
H01L29/15 H01L29/20 H01L29/778
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
