一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法
授权
摘要
本发明提供一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法，通过外延方法制备的降低氮化镓基外延层中漏电的结构包括，衬底；成核层，设置于所述衬底的上表面；应力和缺陷控制层，设置于所述成核层的上表面；下缓冲层，设置于所述应力和缺陷控制层的上表面；电子阻挡层，设置于所述下缓冲层的上表面；上缓冲层，设置于所述电子阻挡层的上表面；沟道层，设置于所述上缓冲层的上表面；以及势垒层，设置于所述沟道层的上表面。利用本发明，通过在上缓冲层和下缓冲层中引入电子阻挡层，利用电子阻挡层的势垒阻挡特性，能够有效的阻挡衬底中的电子注入到上缓冲层中，有效减少氮化镓基外延层中的纵向漏电流，提高氮化镓基外延层的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108962981A
申请号 ：
CN201810768268.8
公开（公告）日 ：
2018-12-07
申请日 ：
2018-07-13
授权号 ：
CN108962981B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
杨学林沈波宋春燕纪攀峰唐军齐胜利潘尧波
申请人 ：
北京大学;合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区颐和园路5号北京大学
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
王华英
优先权 ：
CN201810768268.8
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2019-01-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/10
申请日 : 20180713
申请日 : 20180713
2018-12-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
