晶体管之间的氮化物基半导体层共享
公开
摘要
本申请案的实施例涉及晶体管之间的氮化物基半导体层共享。一种半导体结构包含第一晶体管(QA)，其包含栅极结构、漏极(425)及源极(405)。所述第一晶体管的所述栅极结构包含氮化物基半导体层(220)。所述半导体结构进一步包含第二晶体管，其包含栅极结构、漏极(435)及源极(405)。所述第二晶体管的所述栅极结构还包含氮化物基半导体层(220)。所述第一晶体管的栅极结构的所述氮化物基半导体层(220)与所述第二晶体管的栅极结构的所述氮化物基半导体层连续。
基本信息
专利标题 ：
晶体管之间的氮化物基半导体层共享
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628508A
申请号 ：
CN202111474773.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李东习
申请人 ：
德州仪器公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林斯凯
优先权 ：
CN202111474773.X
主分类号 ：
H01L29/47
IPC分类号 ：
H01L29/47 H01L29/20 H01L29/778 H01L27/085
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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