一种氮化镓晶体管驱动电路
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摘要

本实用新型公开了一种氮化镓晶体管驱动电路包括二极管DON、三极管QOFF、串联分压电路;串联分压电路由第一稳压二极管ZZ或第一电阻RZ、电容CZ构成;第一稳压二极管ZZ的阳极或第一电阻RZ的另一端与电容CZ的另一端连接,第一稳压二极管ZZ的阳极或第一电阻RZ的另一端与所述电容CZ的另一端的连接点作为氮化镓晶体管驱动电路的输出端;所述氮化镓晶体管驱动电路的输入端用于接入PWM驱动信号。本实用新型在传统成熟、可靠的功率晶体管驱动器/控制器,并通过串并联稳压电路对驱动电压信号进行转换处理,得到适合GaN HEMT的驱动信号,从而实现GaN HEMT的低成本、可靠、快速驱动。

基本信息
专利标题 :
一种氮化镓晶体管驱动电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022269582.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-13
授权号 :
CN213783268U
授权日 :
2021-07-23
发明人 :
许亚坡林志东洪燕东徐宁刘成何俊蕾叶念慈
申请人 :
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 :
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202022269582.7
主分类号 :
H03K17/04
IPC分类号 :
H03K17/04  H03K17/567  
法律状态
2021-07-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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