晶体管单元、晶体管电路、子字线驱动器和半导体装置
公开
摘要

提供了晶体管单元、晶体管电路、子字线驱动器和半导体装置。具有共用栅极结构的晶体管电路包括有源区和栅极。有源区具有在基底上沿第一方向延伸的主体以及从主体的在第一方向上的中心部分沿垂直于第一方向的第二方向延伸的突起。栅极布置在有源区上方以与有源区的沟道区叠置并且具有倒置的派结构,倒置的派结构从平面图来看在三个边上围绕但不覆盖有源区的包括有源区的两个拐角部分的部分。突起被分离区划分成分离成两个子部分的第一部分和第二部分。主体的在第一方向上的相对端对应于两个漏极区,突起的第二部分对应于共源极区,并且两个漏极区、共源极区和栅极构成两个晶体管,其中,两个晶体管共用栅极。

基本信息
专利标题 :
晶体管单元、晶体管电路、子字线驱动器和半导体装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114512486A
申请号 :
CN202110975133.0
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2021-08-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
赵炳焄白寅硕丁贤玉黄汎傭
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道水原市
代理机构 :
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 :
刘美华
优先权 :
CN202110975133.0
主分类号 :
H01L27/108
IPC分类号 :
H01L27/108  G11C11/408  G11C11/4074  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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