主字线驱动器及其半导体存储装置
授权
摘要
本申请提供一种主字线驱动器及其半导体存储装置，该主字线驱动器包括输出模块和控制模块。输出模块包括：第一PMOS输出区；第二PMOS输出区，沿第一方向与第一PMOS输出区相邻设置且不接触；第一NMOS输出区，沿第一方向与第二PMOS输出区相邻设置且不接触；第二NMOS输出区，沿第一方向与第一NMOS输出区相邻设置且不接触；且，第一PMOS输出区、第二PMOS输出区、第一NMOS输出区和第二NMOS输出区沿第二方向相互平行；控制模块沿第二方向设置于第一PMOS输出区、第二PMOS输出区、第一NMOS输出区和第二NMOS输出区的底部。本申请可以提高主字线驱动器和其半导体存储器的性能。
基本信息
专利标题 ：
主字线驱动器及其半导体存储装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113178217A
申请号 ：
CN202110595170.9
公开（公告）日 ：
2021-07-27
申请日 ：
2021-05-28
授权号 ：
CN113178217B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
孙会娟李智勋
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
张娜
优先权 ：
CN202110595170.9
主分类号 ：
G11C11/408
IPC分类号 ：
G11C11/408
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/4063
辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
G11C11/408
寻址电路
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-08-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/408
申请日 : 20210528
申请日 : 20210528
2021-07-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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