高压侧驱动器的半导体结构
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本实用新型公开一种包括离子掺杂结的高压侧驱动器的半导体结构。离子掺杂结包括一衬底及一深阱。深阱形成于衬底内并具有一第一凹结构。离子掺杂结包括一连接至该深阱的第一凹结构的半导体区域，该半导体区域并具有与该衬底实质上相同的离子掺杂浓度。借此得以增加邻近电容结构凹区域的高压结的击穿电压。因此，得以降低芯片面积及制造高压侧驱动器的成本。
基本信息
专利标题 ：
高压侧驱动器的半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620149902.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-10-30
授权号 ：
CN200979883Y
授权日 ：
2007-11-21
发明人 ：
蒋秋志黄志丰
申请人 ：
崇贸科技股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省台北县新店市宝兴路45巷8弄1号3楼
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
任永武
优先权 ：
CN200620149902.2
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2010-02-10 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-11-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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