高压半导体装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种高压半导体装置，其包括基底、第一井区、第二井区、第一绝缘层、源极、漏极、第一电极结构以及第二电极结构。第一井区以及第二井区设置在基底内，并分别具有互补的第一导电类型以及第二导电类型。第一绝缘层，设置在第一井区上。源极以及漏极分别设置在第二井区以及第一井区内。第一电极结构以及第二电极结构则设置在基底上，第一电极结构的电极顶面到基底顶面之间的距离具有互不等同的一第一高度以及一第二高度，第一电极结构以及第二电极结构的其中之一为一闸极结构。
基本信息
专利标题 ：
高压半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520264A
申请号 ：
CN202011304074.6
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗宗仁何冠毅徐国谦张哲华杨晓莹廖志成
申请人 ：
世界先进积体电路股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
深圳新创友知识产权代理有限公司
代理人 ：
方艳平
优先权 ：
CN202011304074.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L29/40 H01L29/423
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20201119
申请日 : 20201119
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
